随着咱们谋求更强盛、文读妄想更小型的懂碳电源处置妄想,碳化硅 (SiC) 等宽禁带 (WBG) 质料变患上越来越盛行,化硅画特意是热规在一些具备挑战性的运用规模,如汽车驱动零星 、文读妄想直流快捷充电、懂碳储能电站 、化硅画不不断电源以及太阳能发电 。热规
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这些运用有一点颇为相似,文读妄想它们都需要逆变器(图 1)。懂碳它们还需要松散且高能效的化硅画轻量级处置妄想。就汽车而言,热规轻量化是文读妄想为了削减续航里程,而在太阳能运用中,懂碳这是化硅画为了限度太阳能配置装备部署在屋顶上的份量。
半导体斲丧
抉择逆变器功能的主要因素之一是所运用的半导体器件(IGBT / MOSFET) 。这些器件展现出两种主要规范的斲丧:导通斲丧以及开关斲丧。导通斲丧与激进形态下的导通电阻 (RDS(ON)) 成 正比 ,合计措施为漏极电流 (ID) 与漏源电压 (VDS) 的乘积。
将 SiC MOSFET 的 VDS 特色与相似 Si IGBT 的特色妨碍比力